PACVD steht für "Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition" oder auf Deutsch "Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung". Es handelt sich um ein Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen mit dünnen Schichten unter Verwendung eines plasmaunterstützten chemischen Prozesses.

Die PACVD-Technologie ist ein fortschrittliches Verfahren zur Abscheidung von dünnen Funktionsbeschichtungen auf Substraten unter Verwendung eines plasmaunterstützten chemischen Prozesses. Der Prozess beginnt mit der Einführung von gasförmigen Vorläufersubstanzen, die die zu bildende Beschichtung enthalten, in eine Vakuumkammer. Durch Anwendung von Hochfrequenz- oder Mikrowellenenergie wird ein Plasma erzeugt, das die Vorläufersubstanzen in reaktive Spezies zerlegt. Diese reaktiven Spezies reagieren miteinander und mit der Oberfläche des Substrats, wodurch eine dünne, gleichmäßige Beschichtung gebildet wird.

Der Plasma-Aspekt des Verfahrens spielt eine entscheidende Rolle, da er die Aktivierung der chemischen Reaktionen fördert und die Energiezufuhr für die Zerlegung der Vorläufersubstanzen ermöglicht. Die plasmaunterstützte Umgebung verbessert die Haftung, Dichte und Homogenität der abgeschiedenen Schicht im Vergleich zu herkömmlichen chemischen Gasphasenabscheidungsverfahren.

PACVD findet breite Anwendung in verschiedenen Industriezweigen, einschließlich der Herstellung von Schutzschichten für Werkzeuge, optischen Beschichtungen, Halbleiterbauelementen und verschleißfesten Oberflächen. Die präzise Steuerung der Prozessparameter und die Fähigkeit zur Abscheidung von Schichten mit maßgeschneiderten Eigenschaften machen PACVD zu einer wichtigen Technologie in der Materialwissenschaft und Oberflächentechnik.